什么是PECVD系統(tǒng)？它是化學(xué)氣相沉積法，是一種化工技術(shù)，該技術(shù)主要是利用含有薄膜元素的一種或幾種氣相化合物或單質(zhì)、在襯底表面上進(jìn)行化學(xué)反應(yīng)生成薄膜的方法。它是一種PECVD（等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積）的管式爐系統(tǒng)，它由500W射頻電源、帶有200毫米直徑石英管的可拆分管式爐、真空泵和三通道質(zhì)量流量計(jì)氣體流動(dòng)系統(tǒng)組成。它可以混合1-3種氣體用于CVD或擴(kuò)散。
化學(xué)氣相淀積法已經(jīng)廣泛用于提純物質(zhì)、研制新晶體、淀積各種單晶、多晶或玻璃態(tài)無(wú)機(jī)薄膜材料。這些材料可以是氧化物、硫化物、氮化物、碳化物，也可以是III-V、II-IV、IV-VI族中的二元或多元的元素間化合物，而且它們的物理功能可以通過(guò)氣相摻雜的淀積過(guò)程精確控制。化學(xué)氣相淀積已成為無(wú)機(jī)合成化學(xué)的一個(gè)新領(lǐng)域，PCEVD是等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積英文的各個(gè)詞字母的首字母。
PECVD系統(tǒng)是借助微波或射頻等使含有薄膜成分原子的氣體電離，在局部形成等離子體，而等離子體化學(xué)活性很強(qiáng)，很容易發(fā)生反應(yīng)，在基片上沉積出所期望的薄膜。為了使化學(xué)反應(yīng)能在較低的溫度下進(jìn)行，利用了等離子體的活性來(lái)促進(jìn)反應(yīng)，因而這種CVD稱(chēng)為等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)。
注意事項(xiàng)：
1、設(shè)備爐膛溫度≥200℃時(shí)，禁止打開(kāi)爐膛，避免受到傷害；
2、設(shè)備使用時(shí)，爐管內(nèi)壓力不得超過(guò)0.02MPa（絕對(duì)壓力），以防止壓力過(guò)大造成設(shè)備損壞；
3、當(dāng)爐體溫度高于1000℃時(shí)，爐管內(nèi)不可處于真空狀態(tài)，爐管內(nèi)的氣壓需和大氣壓相當(dāng)，保持在常壓狀態(tài)；
4、在對(duì)樣品加熱時(shí)，不建議關(guān)閉爐管法蘭端的抽氣閥和進(jìn)氣閥使用。若需要關(guān)閉氣閥對(duì)樣品加熱，則需時(shí)刻關(guān)注壓力表的示數(shù)，絕對(duì)壓力表讀數(shù)不要大于0.02MPa，必須立刻打開(kāi)排氣端閥門(mén)，以防意外發(fā)生（如爐管破裂，法蘭飛出等）。
時(shí)間：2024-12-27 點(diǎn)擊次數(shù)：1841
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